企业简介
安集微电子（上海）有限公司 main business:微电子相关材料的研究、设计、生产，微电子相关材料及微电子设备、备件、耗材的销售，从事货物与技术的进出口业务，提供集成电路的测试及相关的技术服务与技术咨询，化工产品（危险化学品经营详见许可证）的销售。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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安集微电子（上海）有限公司的工商信息
- 310115400158403
- 91310000766495270K
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(外商投资企业法人独资)
- 2004年09月02日
- SHUMIN WANG
- 5926.930400
- 2004年09月02日 至 2034年09月01日
- 自由贸易试验区市场监管局
- 2004年09月02日
- 中国（上海）自由贸易试验区碧波路889号1幢E座第1至第2层、以及第3层的部分区域
- 微电子相关材料的研究、设计、生产，微电子相关材料及微电子设备、备件、耗材的销售，从事货物与技术的进出口业务，提供集成电路的测试及相关的技术服务与技术咨询，化工产品（危险化学品经营详见许可证）的销售。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
安集微电子（上海）有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103173127B | 一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液 | 2016.11.23 | 本发明揭示了一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液，至少含有一种磨料和氮化硅抛光速率抑制剂。该抛 |
| 2 | CN105802506A | 一种化学机械抛光液 | 2016.07.27 | 本发明涉及一种化学机械抛光液，含有二氧化铈研磨颗粒，一种或多种化学添加剂及水，本发明的抛光液不包含化 |
| 3 | CN105802511A | 一种化学机械抛光液及其应用 | 2016.07.27 | 本发明涉及一种化学机械抛光液及其应用，具体公开一种方法，采用含硅的有机化合物，该含硅化合物和其他络合 |
| 4 | CN1955248A | 钽阻挡层用化学机械抛光浆料 | 2007.05.02 | 本发明公开了一种钽阻挡层用化学机械抛光浆料，其包括研磨颗粒、有机膦酸、四氮唑类化合物和载体。本发明的 |
| 5 | TWI534221 | ＴＳＶ阻挡层抛光液 | 2016.05.21 | 明揭示了一种适用于矽通孔(TSV)阻挡层的化学机械抛光液，至少含有一种磨料，一种复合金属铜腐蚀抑制剂 |
| 6 | CN101338082A | 改性二氧化硅溶胶及其制备方法和应用 | 2009.01.07 | 本发明公开了改性二氧化硅溶胶及其制备方法，以及含有该改性二氧化硅溶胶的抛光液。该改性二氧化硅溶胶的二 |
| 7 | CN101162684A | 一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法 | 2008.04.16 | 本发明涉及半导体晶圆制造工艺中一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法。其具体步骤为：晶圆经过光阻清洗液处 |
| 8 | CN101457124A | 一种化学机械抛光液 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒和水，其还含有具有两个或两个以上如式I所示的基团的化合 |
| 9 | CN101654598A | 一种化学机械抛光液 | 2010.02.24 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒、高碘酸和/或其盐、磷酸和/或其盐，以及水。所述的抛光 |
| 10 | CN101143996A | 用于抛光多晶硅的化学机械抛光液 | 2008.03.19 | 本发明公开了一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，该抛光液包括研磨颗粒和水，其还包括一种或多种氧化剂。 |
| 11 | CN101339368A | 一种光刻胶清洗剂 | 2009.01.07 | 本发明公开了一种光刻胶清洗剂，其含有：季铵氢氧化物、水、烷基二醇芳基醚、二甲基亚砜和聚羧酸类缓蚀剂； |
| 12 | CN1955249A | 用于钽阻挡层的化学机械抛光浆料 | 2007.05.02 | 本发明公开了一种用于钽阻挡层的化学机械抛光浆料，其包括研磨颗粒A、比研磨颗粒A的尺寸大的研磨颗粒B、 |
| 13 | CN105803461A | 一种用于铜互连的化学机械抛光液及工艺 | 2016.07.27 | 一种用于铜互连抛光的工艺方法，包括以下步骤：步骤A：用铜化学机械抛光液去除铜并停在阻挡层表面；步骤B |
| 14 | CN101457126A | 一种化学机械抛光液 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒和水，其还含有乙烯基吡咯烷酮类聚合物。本发明的抛光液具 |
| 15 | CN105778775A | 一种中性胶体二氧化硅的制备方法 | 2016.07.20 | 本发明涉及一种二氧化硅研磨颗粒的制备方法，该方法包括：对酸性胶体二氧化硅研磨颗粒溶液进行pH中和处理 |
| 16 | CN105778777A | 一种蓝宝石抛光废液的再处理方法 | 2016.07.20 | 本发明涉及一种蓝宝石抛光废液的再处理方法，其中该蓝宝石抛光废液中包括胶体二氧化硅研磨颗粒，该再处理方 |
| 17 | CN1955212A | 用于阻挡层的化学机械抛光浆料 | 2007.05.02 | 本发明公开了一种用于阻挡层的化学机械抛光浆料，其包括研磨颗粒、有机膦酸、聚丙烯酸类和/或其盐类和/或 |
| 18 | CN101657531A | 一种清洗液及其应用 | 2010.02.24 | 提供了一种清洗液，其含有至少一种氧化剂，至少一种胍类化合物和水。还提供了该清洗液在化学机械抛光后晶片 |
| 19 | CN101457125A | 一种化学机械抛光液 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒和水，还含有如式I所示的研磨阻滞剂；其中，X和Y独自的 |
| 20 | CN101457122A | 一种用于铜制程的化学机械抛光液 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种用于铜制程的化学机械抛光液，其含有研磨颗粒、有机膦酸类化合物、含氮唑类化合物、氧化剂 |
| 21 | CN105802507A | 一种化学机械抛光液及其应用 | 2016.07.27 | 本发明提到的抛光液对氧化硅具有非常高的抛光速度。通过含硅的有机化合物和两性表面活性剂的协同作用，实现 |
| 22 | CN1955239A | 铜的化学机械抛光浆料 | 2007.05.02 | 本发明公开了一种铜的化学机械抛光浆料，其包括研磨颗粒、有机膦酸、聚丙烯酸类和/或其共聚物、氧化剂和载 |
| 23 | CN101077961A | 用于精细表面平整处理的抛光液及其使用方法 | 2007.11.28 | 本发明公开了一种用于精细表面平整处理的抛光液及其使用方法，本发明的用于精细表面平整处理的抛光液包括磨 |
| 24 | CN103146306B | 一种TSV阻挡层抛光液 | 2016.12.28 | 本发明揭示了一种适用于硅通孔(TSV)阻挡层的化学机械抛光液，至少含有一种磨料，一种复合金属铜腐蚀抑 |
| 25 | CN103184009B | 一种化学机械抛光液 | 2016.12.14 | 本发明公开了一种用于阻挡层的化学机械抛光液，该抛光液包含研磨颗粒、金属缓蚀剂、络合剂，氧化剂和水，其 |
| 26 | CN105802509A | 一种组合物在阻挡层抛光中的应用 | 2016.07.27 | 本发明旨在提供一种组合物在阻挡层抛光中的应用，其中，该组合物被加入化学机械抛光液中，且化学机械抛光液 |
| 27 | CN105802512A | 一种化学机械抛光液及其应用 | 2016.07.27 | 本发明的化学机械抛光液具有较高的TEOS和低k材料(BD)的去除速率，且Cu的去除速率可通过升高或降 |
| 28 | CN105802510A | 一种化学机械抛光液及其应用 | 2016.07.27 | 本发明涉及一种化学机械抛光液及其应用，该抛光液含有研磨颗粒、氨基硅烷试剂和水。本发明适合于硅通孔(T |
| 29 | CN105800664A | 一种氧化铈磨料制备方法及其CMP抛光应用 | 2016.07.27 | 本发明公开了一种氧化铈制备方法，其包括：步骤一：将pH调节剂、沉淀剂和铈源混匀，通过控制pH，制备得 |
| 30 | CN105802508A | 一种氮唑类化合物在提高化学机械抛光液稳定性中的应用 | 2016.07.27 | 本发明旨在提供一种氨基硅烷改性的研磨颗粒制备的抛光液稳定性差的解决方案，通过加入氮唑类化合物可显著提 |
| 31 | CN105778776A | 一种蓝宝石抛光废液的再使用方法 | 2016.07.20 | 一种蓝宝石抛光废液的再使用方法。本发明涉及一种抛光高k金属栅的方法，其中用于抛光高k金属栅的抛光液为 |
| 32 | CN105778774A | 一种化学机械抛光液 | 2016.07.20 | 本发明提出一种化学机械抛光液，该抛光液以二氧化铈为磨料，同时还含有有机多元酸、高分子聚合物。本发明公 |
| 33 | CN105785725A | 一种光阻残留物清洗液 | 2016.07.20 | 本发明公开了一种不含氟化物和羟胺的去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种不含氟化物和羟胺的低蚀刻性 |
| 34 | CN103205205B | 一种碱性化学机械抛光液 | 2016.06.22 | 本发明涉及一种碱性化学机械抛光液，含有：研磨颗粒，唑类化合物，C<sub>1</sub>～C<sub |
| 35 | CN105527803A | 一种光刻胶清洗液 | 2016.04.27 | 本发明公开了一种不含氟化物、羟胺、环状胺和季胺氢氧化物的去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种不含 |
| 36 | TW201612307 | 光阻清洗液以及去除光阻残留物的光阻清洗液应用 | 2016.04.01 | 明公开了一种不含氟化物、羟胺、环状胺和季胺氢氧化物的去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种不含氟化 |
| 37 | CN102533121B | 一种抛光钨的化学机械抛光液 | 2016.01.27 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，包括水、气相法二氧化硅、银离子、硫酸根离子、过氧化物。该抛光液具有非 |
| 38 | CN102533122B | 一种用于抛光含钛基材的抛光浆料 | 2016.01.20 | 本发明一种用于抛光含钛基材的抛光浆料包括一种或多种氨基酸、去离子水和研磨颗粒；所述抛光浆料用于抛光含 |
| 39 | CN101457123A | 一种用于铜制程的化学机械抛光液 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种用于铜制程的化学机械抛光液，其含有研磨颗粒、有机酸类化合物、氧化剂和载体，其还含有含 |
| 40 | CN101457127A | 一种化学机械抛光液 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒和水，其还含有糖类聚合物。本发明的抛光液具有较低的多晶 |
| 41 | CN101550319A | 一种化学机械抛光液 | 2009.10.07 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒、氧化剂和水，其还含有下列表面摩擦调节剂中的一种或多种 |
| 42 | CN101550317A | 用于抛光多晶硅的化学机械抛光液 | 2009.10.07 | 本发明公开了一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液，其含有研磨颗粒和水，其特征在于：其还含有有机酸和/或 |
| 43 | CN101541902A | 用于抛光低介电材料的化学机械抛光液 | 2009.09.23 | 本发明公开了一种用于抛光低介电材料的化学机械抛光液，包含研磨颗粒、腐蚀抑制剂、氧化剂和水，其特征在于 |
| 44 | CN101523300A | 一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法 | 2009.09.02 | 提供了一种低蚀刻性的光刻胶清洗剂及其清洗方法。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂包含二甲基亚砜、季铵氢氧化物 |
| 45 | CN101523299A | 一种光刻胶清洗剂 | 2009.09.02 | 一种光刻胶清洗组合物包含二甲基亚砜、季铵氢氧化物，其特征在于还含有表面活性剂：含羟基聚醚。这种含有含 |
| 46 | CN101522879A | 低蚀刻性较厚光刻胶清洗液 | 2009.09.02 | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于清洗较厚光刻胶的清洗液，其特征是含有氢氧化钾、二甲基亚砜、苯甲醇和乙 |
| 47 | TWI510605 | 化学机械抛光液 | 2015.12.01 | |
| 48 | CN102834476B | 一种化学机械抛光液 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有水，研磨剂，氧化剂和两种或两种以上的非铁过渡元素金属盐。本发明 |
| 49 | CN101162369A | 一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法 | 2008.04.16 | 本发明公开了一种低蚀刻性的光刻胶清洗剂及其清洗方法。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂包含二甲基亚砜、季铵氢 |
| 50 | CN101523562A | 分布化学机械抛光方法 | 2009.09.02 | 提供了一种分步化学机械抛光(CMP)方法。该方法包括以下步骤：第一步，采用具有多晶硅去除速率大于或等 |
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